Квантово-размерные эффекты в полупроводниковых гетероструктурах.

Новый этап в развитии полупроводниковой опто- и микроэлектроники связан с применением квантово-размерных гетероструктур, в том числе, дельта-легированных наноструктур, структур с квантовыми ямам и сверхрешеток. Согласно теоретическим расчетам, локализация электронов, локализация электронов и фононов в таких структурах должна уменьшить электрон-фононное взаимодействие и тем самым приводить к повышению подвижности электронов, а значит, и быстродействия устройств на основе этих структур. Исследования оптических свойств полупроводниковых наноструктур вследствие квантово-размерных эффектов имеют фундаментальный характер и важны для понимания физики локализованных состояний. Руководитель работ: профессор, д.ф.-м.н. Л.П. Авакянц

Комбинационное рассеяния света в материалах опто- и микроэлектроники

Актуальность исследования материалов опто- и микроэлектроники методом спектроскопии комбинационного рассеяния света обусловлена тем, что основные тенденции современной электроники направлены на создание полупроводниковых приборов с размерами порядка нескольких нанометров (в том числе, интегрированных в микросхемы), диагностика которых традиционными методами (например, с помощью эффекта Холла) оказывается затруднительной. Анализ параметров линий в спектрах комбинационного рассеяния света позволяет получать информацию о структурных (степень совершенства кристаллической структуры, характерные размеры нанокристаллов) и электрофизических (концентрация свободных носителей, их подвижность) свойствах пиповерхностных слоев полупроводниковых структур. Руководитель работ: с.н.с. к.ф.-м.н. А.В. Червяков.

Модуляционная спектроскопия полупроводниковых гетероструктур

Исследования полупроводниковых структур методами фотолюминесценции и спектроскопии поглощения связаны, как правило, с использованием низкотемпературной (вплоть до температур жидкого гелия) техники. Поэтому в последнее время все большую популярнойсть приборетают методы модуляционной спектроскопии, особенно элеткро- и фотоотражение. Эти методы позволяют (в том числе, бесконтактно) определять напряженности встроенных электрических полей в полупроводниковой структуре и особенности их распределения, давать оценки концентрации легирующей примеси. Методы модуляционной спектроскопии особенно интересны для исследования квантово-размерных эффектов в полупроводниковых структурах, так как они позволяют определять энергии межзонных переходов даже при комнатной температуре. Руководитель работ: ст. преп. к.ф.-м.н. П.Ю. Боков.