GenPhysRambler's Top100 Кафедра общей физики
физфака МГУ
 
Разделы
О кафедре
Новости
Младшие курсы
Специалисты
Магистры
Общий физический практикум
Практикум за осенние семестры 2020-22 года
Научная работа
Сотрудники
Информация для преподавателей
Аспиранты
Диссертации
Публикации
Премии
Фотогалерея
Дипломные работы
Контакты
Студенческие олимпиады по физике
Лекционные демонстрации
Видеоматериалы к лекциям и семинарам
Кафедра общей физики - школе
Физфак
Кафедры
Летняя школа
МГУ
Факультеты
 
>> Зав.кафедрой Сотрудники

Авакянц Лев Павлович
Основные публикации

  1. Avakyants L.P., Svyakhovskiy S.E., Aslanyan A.E., Chervyakov A.V. Photoreflectance in monolayer mesoporous silicon structures. Journal of Russian Laser Research, 2020, 41(3): 207–214.
  2. Асланян А.Э., Авакянц Л.П., Червяков А.В., Туркин А.Н., Мирзаи С.С., Курешов В.А., Сабитов Д.Р., Мармалюк А.А. Исследование напряженности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе INGаN/GаN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания. Физика и техника полупроводников, 2020, т.54, № 4, с. 420–425
  3. Асланян А.Э., Авакянц Л.П., Червяков А.В., Туркин А.Н., Курешов В.А., Сабитов Д.Р., Мармалюк А.А. Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе INGаN/GaN с разным количеством квантовых ям. Физика и техника полупроводников, 2020, т. 54, № 3, с. 292–295.
  4. Асланян А.Э., Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков А.В. Исследование распределения встроенных электрических полей в светодиодных гетероструктурах с множественными квантовыми ямами GaN/InGaN методом электроотражения. Физика и техника полупроводников, 2019, т. 53, № 4, с. 493–499
  5. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Казаков И.П., Базалевский М.А., Деев П.М., Червяков А.В. Исследование методом спектроскопии фотоотражения слоев LT-GaAs, выращенных на подложках Si и GaAs. Физика и техника полупроводников, 2018, т. 52, № 7, с. 708–711.
  6. Svyakhovskiy S.E., Aslanyan A.E., Bokov P.Yu., Chervyakov A.V., Avakyants L.P., Lomonosov M.V. Photoreflectance spectroscopy of nonlinear photonic crystals. 2018, Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, 8435204, 337.
  7. Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков А.В. Комбинационное рассеяние света в InP, легированном имплантацией ионов Be+. Физика и техника полупроводников, 2017, т. 51, № 2, с. 177–181.
  8. Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Положенцев К.Ю., Червяков А.В. Спектры электроотражения множественных квантовых ям InGaN/GaN, помещенных в неоднородное электрическое поле p-n-перехода. Физика и техника полупроводников, 2017, т. 51, № 2, с. 198–201.
  9. Авакянц Л.П., Асланян А.Э., Боков П.Ю., Волков В.В., Матешев И.С., Туркин А.Н., Червяков А.В., Юнович А.Э. Люминесцентные и электрические свойства ультрафиолетовых и фиолетовых светодиодов из гетероструктур на основе нитрида галлия. Ученые Записки Физического Факультета МГУ, 2016, № 3, с. 163401-1–163401-7.
  10. Смотреть все публикации в ИСТИНА

<< Авакянц Л.П.: основная страница
<<На страницу сотрудников

Контакты